IXYS - IXFH18N60X

KEY Part #: K6394918

IXFH18N60X Нархгузорӣ (доллари ИМА) [15840дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.87639
  • 50 pcs$2.86208

Рақами Қисм:
IXFH18N60X
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers - ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Транзисторҳо - JFETs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFH18N60X electronic components. IXFH18N60X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH18N60X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH18N60X Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFH18N60X
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Серияхо : HiPerFET™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1440pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 320W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-247
Бастаи / Парвандаи : TO-247-3