Infineon Technologies - IPD65R600E6ATMA1

KEY Part #: K6419837

IPD65R600E6ATMA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [136804дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.27037
  • 2,500 pcs$0.24807

Рақами Қисм:
IPD65R600E6ATMA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - JFETs, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Транзисторҳо - IGBTs - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IPD65R600E6ATMA1 electronic components. IPD65R600E6ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD65R600E6ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD65R600E6ATMA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IPD65R600E6ATMA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Серияхо : CoolMOS™ E6
Статуси Қисми : Not For New Designs
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 650V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 7.3A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 210µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 100V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 63W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PG-TO252-3
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед