Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
25nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 20V
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO