Рақами Қисм :
PMDPB80XP,115
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6
Навъи FET :
2 P-Channel (Dual)
Хусусияти FET :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 10V
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-UDFN Exposed Pad
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-HUSON-EP (2x2)