Рақами Қисм :
TPC8A06-H(TE12LQM)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.1 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
19nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 10V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Body)
Тақсимоти барқ (Макс) :
-
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SOP (5.5x6.0)
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)