Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
50V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
500mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 220mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
0.8nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
40pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
600mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3