Vishay Siliconix - IRFUC20PBF

KEY Part #: K6393023

IRFUC20PBF Нархгузорӣ (доллари ИМА) [55666дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.61461
  • 10 pcs$0.54604
  • 100 pcs$0.43156
  • 500 pcs$0.31659
  • 1,000 pcs$0.24994

Рақами Қисм:
IRFUC20PBF
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Диодҳо - RF ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix IRFUC20PBF electronic components. IRFUC20PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFUC20PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFUC20PBF Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IRFUC20PBF
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-251AA
Бастаи / Парвандаи : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед