Рақами Қисм :
RW1A030APT2CR
Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
3A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
22nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2700pF @ 6V
Тақсимоти барқ (Макс) :
700mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
6-WEMT
Бастаи / Парвандаи :
SOT-563, SOT-666