Рақами Қисм :
BSC0501NSIATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
29A (Ta), 100A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
33nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2200pF @ 15V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Body)
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TDSON-8
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerTDFN