VS-ST730C16L0L Нархгузорӣ (доллари ИМА) [660дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$67.00764
- 10 pcs$63.83650
- 25 pcs$62.47815
- Рақами Қисм:
- VS-ST730C16L0L
- Истеҳсолкунанда:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Тавсифи муфассал:
- SCR 1600V 2000A B-PUK. SCRs Thyristors - B-PUK
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs and Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-ST730C16L0L electronic components. VS-ST730C16L0L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-ST730C16L0L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-ST730C16L0L Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
VS-ST730C16L0L
Истеҳсолкунанда :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Тавсифи :
SCR 1600V 2000A B-PUK
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Шиддат - Хомӯшӣ :
1.6kV
Шиддат - Триггер дарвоза (Vgt) (Макс) :
3V
Айни замон - триггер дарвоза (Igt) (макс) :
200mA
Шиддат - Дар ҳолати (Втм) (Макс) :
1.62V
Ҷараёни - Дар бораи давлат (Он (AV)) (Макс) :
990A
Ҷорӣ - Дар бораи давлат (Он (RMS)) (Макс) :
2000A
Айни замон - нигоҳ доред (Ih) (Макс) :
600mA
Ҳозир - Ҳолати хомӯш (Макс) :
80mA
Ҷараёни - Суръати бефосилаи 50, 60 Гц (Он) :
15000A, 15700A
Навъи SCR :
Standard Recovery
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 125°C
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-200AC, B-PUK
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-200AC, B-PUK
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Қисмҳои гарм
- TDK4423002DH
- T9K7280903DH
- VS-ST183S08MFL0
- VS-ST083S10PFK2
- C150B
- C150A
- CPS041-CS92D-CT20
- CPS041-2N5060-CT
- JANTX2N2324U4
- CD1039
- 2C2329
- 2N683A
- CS48-35PB
- CS218I-30N
- JANTXV2N2329
- JANTX2N2323S
- JAN2N2323AS
- TIC108N-S
- T72H044844DN
- TN815-800B
- TCR22-4RP
- S2S3RP
- S2035KTP
- S2008DS3TP
- S2006LS259
- 2N5061RLRAG
- TYN1006RG
- MCR718T4
- 12TTS08S
- 25TTS12STRL
- 16TTS08FP
- S2SRP
- S6008L
- BT152-500RT,127
- BT169H,412
- S8020L
- VS-25TTS08STRLPBF
- T72H123564DN
- EC103D1,116
- CLA30E1200PB