[10151дона саҳҳомӣ]
- Рақами Қисм:
- MT29F1G08ABBDAM68A3WC1
- Истеҳсолкунанда:
- Micron Technology Inc.
- Тавсифи муфассал:
- IC FLASH 1G PARALLEL WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Мантиқ - флип-Flops, Хотира - Батареяҳо, Ҷойгиршуда - DSP (Протсессори сигналҳои рақамӣ), Интерфейс - Сабти овоз ва навозиш, Ба даст овардани маълумот - ADCs / DACs - Ҳадафи м, Воридшуда - Микроконтроллер, Микропроцессор, Модул, Ҷойгиршуда - FPGAs (Масъалаи барномарезишудаи дарв and PMIC - Ҳисобкунии энергия ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 electronic components. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F1G08ABBDAM68A3WC1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1
Истеҳсолкунанда :
Micron Technology Inc.
Тавсифи :
IC FLASH 1G PARALLEL WAFER
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Obsolete
Намуди хотира :
Non-Volatile
Формати хотира :
FLASH
Технология :
FLASH - NAND
Андозаи хотира :
1Gb (128M x 8)
Фосилаи соат :
-
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
-
Вақти дастрасӣ :
-
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
1.7V ~ 1.95V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 70°C (TA)
Навъи монтаж :
-
Бастаи / Парвандаи :
-
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
-
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
FM25V20A-DG
Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8TDFN. F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM
-
FM25V20A-G
Cypress Semiconductor Corp
IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8SOIC. F-RAM 2Mb, 40Mhz, 256K x 8 SPI FRAM
-
IS61LPD51236A-250B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v
-
-
MT41K512M16HA-107 IT:A
Micron Technology Inc.
IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA
-
Қисмҳои гарм
- W25P40VSNIG
- MT28F008B3VG-9 TET TR
- AT49LV001-12JI
- AT49F001-70PC
- AT49BV001T-12TI
- AT45D021-TI
- AT28C16E-20PC
- AT27LV020A-15JI
- AT27C4096-90VC
- AT27C020-70TC
- AT27C010L-45PI
- AT29LV1024-15JC
- AT24C02-10PI-2.7
- S29WS128N0SBAW013
- IS61LPS102418A-250B3I
- MT25QL256ABA8ESF-0AAT
- MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
- EDF8132A3MA-GD-F-R TR
- MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR
- S34ML04G200BHV003
- S34ML04G100BHB000
- W29GL256SH9T
- AS7C31026C-10BINTR
- IS42S16320B-6BLI
- IS42S16800E-7TL-TR
- MT29F128G08CFAABWP-12Z:A TR
- AS7C31025C-10TJIN
- S29PL064J70BFW120
- N2M400GDB321A3CE
- CY62147EV30LL-45ZSXA
- IDT71V3579S80PF
- IDT71V2556S166PFI8
- 71321SA25J
- IDT70824S25PF8
- JS28F256P33TFA
- BQ4015YMA-85
- IS42S16160B-7TLI-TR
- S29CD016J0MDGH014
- W978H2KBVX2E
- BR24C04-DS6TP