1N5818-T Нархгузорӣ (доллари ИМА) [1429991дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.02587
- 5,000 pcs$0.02349
- 10,000 pcs$0.02088
- 25,000 pcs$0.01958
- 50,000 pcs$0.01736
- Рақами Қисм:
- 1N5818-T
- Истеҳсолкунанда:
- Diodes Incorporated
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41. Schottky Diodes & Rectifiers Vr/30V Io/1A T/R
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Транзисторҳо - JFETs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5818-T electronic components. 1N5818-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5818-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5818-T Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
1N5818-T
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
30V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
1A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
550mV @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
1mA @ 30V
Иқтидори @ Vr, F :
110pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
DO-204AL, DO-41, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-41
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-65°C ~ 125°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 100 Volt 35ns
-
FESB16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 150 Volt 35ns
-
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
Қисмҳои гарм
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A