S29GL512S10GHI010 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [16028дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$3.55725
- 260 pcs$3.53955
- Рақами Қисм:
- S29GL512S10GHI010
- Истеҳсолкунанда:
- Cypress Semiconductor Corp
- Тавсифи муфассал:
- IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон, Воридшуда - микроконтроллерҳо, Мантиқ - дарвозаҳо ва тағирдиҳандаҳо - бисёр функс, Интерфейс - интерфейсҳои сенсор ва детектор, Соат / Вақт - Батареяҳои IC, PMIC - RMS ба табдилдиҳандагони DC, Мантиқ - Калидҳои сигнал, мултиплексҳо, декодерҳо and PMIC - Нозирон ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10GHI010 electronic components. S29GL512S10GHI010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S29GL512S10GHI010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S29GL512S10GHI010 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
S29GL512S10GHI010
Истеҳсолкунанда :
Cypress Semiconductor Corp
Тавсифи :
IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA
Серияхо :
GL-S
Статуси Қисми :
Active
Намуди хотира :
Non-Volatile
Формати хотира :
FLASH
Технология :
FLASH - NOR
Андозаи хотира :
512Mb (32M x 16)
Фосилаи соат :
-
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
60ns
Вақти дастрасӣ :
100ns
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
56-VFBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
56-FBGA (9x7)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Қисмҳои гарм
- CY7C024AV-25AXI
- AT49BV163AT-70TI
- AT25040A-10TU-1.8-T
- MT48LC64M4A2TG-75 L:D
- MT47H64M8CB-5E:B
- MT48LC16M16A2TG-7E:D TR
- AT93C46-10TI-2.7
- AT49LD3200B-20TI
- AT29C512-15PC
- AT27LV520-70XC
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- V29AL008D55TAIR10
- MT53B256M32D1Z91MWC1
- CG7821AA
- MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
- N25Q032A11EF640F TR
- MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
- IS43DR16128A-3DBLI
- EMFA164A2PM-DV-F-R TR
- AS4C128M16D3L-12BIN
- AS4C16M16S-6BINTR
- CY7C131E-55JXIT
- 7133LA25PF
- CY7C1041CV33-12BAXET
- MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
- AT28LV256-25PI
- SST39VF010-70-4C-B3KE
- CAT24C04ZI-GT3
- 71V321L35TF
- IDT71V2556S133PF
- IDT71P73804S250BQ
- 7130SA20J
- IDT70T633S15DD
- PC28F256P30B85F
- CY62128BNLL-70SXAT
- M29F400BT90N6T TR
- IS42S16400D-7T
- MX66U51235FZ4I-10G
- S29GL064N90TFVR20
- S25FL128SAGMFA001