TPMR10J S1G Нархгузорӣ (доллари ИМА) [264602дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.13979
- Рақами Қисм:
- TPMR10J S1G
- Истеҳсолкунанда:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A. Rectifiers 60ns, 10A, 600V, High Efficient Recovery Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Диодҳо - RF, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Тиристорҳо - TRIACs, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - JFETs and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10J S1G electronic components. TPMR10J S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPMR10J S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TPMR10J S1G Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
TPMR10J S1G
Истеҳсолкунанда :
Taiwan Semiconductor Corporation
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
600V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
10A
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.8V @ 10A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
40ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
10µA @ 600V
Иқтидори @ Vr, F :
140pF @ 4V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-277, 3-PowerDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-277A (SMPC)
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
-55°C ~ 175°C
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
BAS21-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 250V
-
VS-15EWX06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 18ns
-
VS-4EWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A D-PAK. Rectifiers Hyperfast 4A 200V 23ns
Қисмҳои гарм
- IDL10G65C5XUMA1
- IDK03G65C5XTMA1
- JANTXV1N1190R
- VS-150SQ030
- 1N6304R
- RGP10K-M3/54
- RK 14
- VS-80SQ030TR
- S4250TS
- CD1005-B0140R
- SUF15G-E3/54
- SS3P6-E3/85A
- CDBP0130R-G
- BY229B-400-E3/81
- FGP50D-E3/73
- S204100
- ES3A-E3/51T
- FFPF06UP20STU
- VS-90SQ035TR
- R2040
- 8ETH03
- 80EPS12
- 300HF40P
- S3G-13
- FR603-T
- HFA25PB60
- VS-95SQ015
- SF12M-TP
- CR3-060GPP BK
- APD245VRTR-G1
- MUR140-TP
- HER204-TP
- FR154-TP
- 1N4944-TP
- 1A4-AP
- GIB1404HE3/81
- CMR1U-02 BK
- RX 10ZV
- SE10PB-M3/85A
- SE07PD-M3/85A