Рақами Қисм :
TJ20S04M3L(T6L1,NQ
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
37nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1850pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
41W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DPAK+
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63