Vishay Siliconix - SIHD1K4N60E-GE3

KEY Part #: K6397629

SIHD1K4N60E-GE3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [70849дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.55189

Рақами Қисм:
SIHD1K4N60E-GE3
Истеҳсолкунанда:
Vishay Siliconix
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH DPAK TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - SCRs, Модулҳои драйвери барқ and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 electronic components. SIHD1K4N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD1K4N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD1K4N60E-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : SIHD1K4N60E-GE3
Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
Тавсифи : MOSFET N-CH DPAK TO-252
Серияхо : E
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 7.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 172pF @ 100V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 63W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-252AA
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.