Рақами Қисм :
IPT012N08N5ATMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
300A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 mOhm @ 150A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.8V @ 280µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
223nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
17000pF @ 40V
Тақсимоти барқ (Макс) :
375W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-HSOF-8-1
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerSFN