Рақами Қисм :
1N483B_T50R
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
80V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
200mA
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1V @ 100mA
Суръат :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
25nA @ 60V
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи / Парвандаи :
DO-204AH, DO-35, Axial
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DO-35
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
175°C (Max)