NXP USA Inc. - SI4800,518

KEY Part #: K6400185

[3484дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    SI4800,518
    Истеҳсолкунанда:
    NXP USA Inc.
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо and Тиристорҳо - SCRs ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in NXP USA Inc. SI4800,518 electronic components. SI4800,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4800,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4800,518 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : SI4800,518
    Истеҳсолкунанда : NXP USA Inc.
    Тавсифи : MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
    Серияхо : TrenchMOS™
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 30V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 11.8nC @ 5V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 2.5W (Ta)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 8-SO
    Бастаи / Парвандаи : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.

    • PMN38EN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP.

    • PMN49EN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP.