Microchip Technology - VN4012L-G

KEY Part #: K6398123

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Тиристорҳо - SCRs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in Microchip Technology VN4012L-G electronic components. VN4012L-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VN4012L-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : VN4012L-G

Истеҳсолкунанда : Microchip Technology

Тавсифи : MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Навъи FET : N-Channel

Технология : MOSFET (Metal Oxide)

Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) : 400V

Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 160mA (Tj)

Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 1mA

Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : -

Vgs (Макс) : ±20V

Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V

Хусусияти FET : -

Тақсимоти барқ (Макс) : 1W (Tc)

Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)

Навъи монтаж : Through Hole

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : TO-92-3

Бастаи / Парвандаи : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

2N7008-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.
VN4012L-G

Microchip Technology

MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.
TK28A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.
RCX300N20

Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 30A TO220.
TK11A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.
TK12A50E,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 500V TO220SIS.

Қисмҳои гарм