Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET P-CH 20V 2.2A SSOT-6
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
20V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
5.2nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
369pF @ 10V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Isolated)
Тақсимоти барқ (Макс) :
960mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SuperSOT™-6
Бастаи / Парвандаи :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6