Рақами Қисм :
SQ2337ES-T1_GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
Серияхо :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
80V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
620pF @ 30V
Тақсимоти барқ (Макс) :
3W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-23-3 (TO-236)
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3