Рақами Қисм :
SI1307DL-T1-GE3
Истеҳсолкунанда :
Vishay Siliconix
Тавсифи :
MOSFET P-CH 12V 0.85A SOT323-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
12V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
850mA (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
5nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Тақсимоти барқ (Макс) :
290mW (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SC-70-3
Бастаи / Парвандаи :
SC-70, SOT-323