BAS20,235 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [4517943дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.00819
- 10,000 pcs$0.00764
- Рақами Қисм:
- BAS20,235
- Истеҳсолкунанда:
- Nexperia USA Inc.
- Тавсифи муфассал:
- DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Модулҳои драйвери барқ, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо and Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS20,235 electronic components. BAS20,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS20,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS20,235 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BAS20,235
Истеҳсолкунанда :
Nexperia USA Inc.
Тавсифи :
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Standard
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
150V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
200mA (DC)
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
1.25V @ 200mA
Суръат :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
50ns
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
100nA @ 150V
Иқтидори @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-236AB
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
150°C (Max)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Қисмҳои гарм
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08