Рақами Қисм :
IPP530N15N3GXKSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
21A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 35µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
12nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
887pF @ 75V
Тақсимоти барқ (Макс) :
68W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO220-3-1
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3