Истеҳсолкунанда :
Rohm Semiconductor
Тавсифи :
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Статуси Қисми :
Not For New Designs
Навъи транзистор :
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Ҷорӣ - Коллектор (Ic) (Макс) :
100mA, 500mA
Шиддат - Тақсими эмитентҳои коллекторӣ :
50V, 15V
Муқовимат - Пойгоҳи (R1) :
47 kOhms
Муқовимат - Пойгоҳи эмитент (R2) :
47 kOhms
DC ҷорӣ фоида (hFE) (Мин) @ Ic, Vce :
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Ҷойгиркунии Vce (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Ҷорӣ - Қатъи коллеҷ (Макс) :
500nA
Фосила - гузариш :
250MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
UMT6