Рақами Қисм :
APTC90AM60T1G
Истеҳсолкунанда :
Microsemi Corporation
Тавсифи :
MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
Навъи FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Хусусияти FET :
Super Junction
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
900V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
59A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 6mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
540nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 100V
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SP1