ON Semiconductor - FDN338P_G

KEY Part #: K6403878

[2205дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    FDN338P_G
    Истеҳсолкунанда:
    ON Semiconductor
    Тавсифи муфассал:
    INTEGRATED CIRCUIT.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Модулҳои драйвери барқ, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға, Транзисторҳо - ФЕТҳо, MOSFETҳо - RF, Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Zener - Ягона and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in ON Semiconductor FDN338P_G electronic components. FDN338P_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN338P_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDN338P_G Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : FDN338P_G
    Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
    Тавсифи : INTEGRATED CIRCUIT
    Серияхо : PowerTrench®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : P-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Ta)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
    Vgs (Макс) : ±8V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 451pF @ 10V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 500mW (Ta)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : SuperSOT-3
    Бастаи / Парвандаи : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.