Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Силсилаи интегралӣ (IC)
  4. Хотира
  5. AS4C8M32MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C8M32MSA-6BIN

KEY Part #: K937521

AS4C8M32MSA-6BIN Нархгузорӣ (доллари ИМА) [17157дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.67064
Рақами Қисм:
AS4C8M32MSA-6BIN
Истеҳсолкунанда:
Alliance Memory, Inc.
Тавсифи муфассал:
IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA. DRAM 256M 166MHz 8Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Нозирон, Мантиқ - Муқоисакунандагон, Интерфейс - Модулҳо, Лифтҳо - Амплифторҳо - Ҳадафи махсус, Воридшуда - Микроконтроллер, Микропроцессор, Модул, Ба даст овардани маълумот - Аналогӣ ба табдилдиҳан, Мантиқ - буферҳо, ронандагон, қабулкунандаҳо, тран and PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MSA-6BIN electronic components. AS4C8M32MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C8M32MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C8M32MSA-6BIN Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : AS4C8M32MSA-6BIN
Истеҳсолкунанда : Alliance Memory, Inc.
Тавсифи : IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди хотира : Volatile
Формати хотира : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile
Андозаи хотира : 256Mb (8M x 32)
Фосилаи соат : 166MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа : 15ns
Вақти дастрасӣ : 5.5ns
Интерфейси хотира : Parallel
Шиддат - Таъмин : 1.14V ~ 1.95V
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 85°C (TA)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 90-VFBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 90-FBGA (8x13)

Охирин хабарҳо

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor

Қисмҳои гарм