Рақами Қисм :
RJK2057DPA-00#J0
Истеҳсолкунанда :
Renesas Electronics America
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
20A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 10A, 10V
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
19nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1250pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
30W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-WPAK
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN