Infineon Technologies - IPI530N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6419123

IPI530N15N3GXKSA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [92680дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.42189
  • 500 pcs$0.38702

Рақами Қисм:
IPI530N15N3GXKSA1
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона and Тиристорҳо - TRIACs ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 electronic components. IPI530N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPI530N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI530N15N3GXKSA1 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IPI530N15N3GXKSA1
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Серияхо : OptiMOS™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 150V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 887pF @ 75V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 68W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PG-TO262-3
Бастаи / Парвандаи : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед