BAT60BE6327HTSA1 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [922848дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$0.04008
- 3,000 pcs$0.03820
- 6,000 pcs$0.03607
- 15,000 pcs$0.03289
- 30,000 pcs$0.03077
- Рақами Қисм:
- BAT60BE6327HTSA1
- Истеҳсолкунанда:
- Infineon Technologies
- Тавсифи муфассал:
- DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2. Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Schottky Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Zener - Ягона, Транзисторҳо - Биполяр (BJT) - Массаҳо, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Модулҳои драйвери барқ ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Infineon Technologies BAT60BE6327HTSA1 electronic components. BAT60BE6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT60BE6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT60BE6327HTSA1 Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
BAT60BE6327HTSA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Навъи диод :
Schottky
Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) :
10V
Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) :
3A (DC)
Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар :
600mV @ 1A
Суръат :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) :
-
Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr :
25µA @ 8V
Иқтидори @ Vr, F :
30pF @ 5V, 1MHz
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
SC-76, SOD-323
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-SOD323-2
Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ :
150°C (Max)
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
-
BAS70E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A
-
MMBD1401A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode
-
VS-12EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast
-
VS-15EWH06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast
-
VS-8EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252. Rectifiers Freds - D-PAK-e3
Қисмҳои гарм
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A