Infineon Technologies - IRFR3607TRPBF

KEY Part #: K6417805

IRFR3607TRPBF Нархгузорӣ (доллари ИМА) [118470дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$0.31221
  • 2,000 pcs$0.25581

Рақами Қисм:
IRFR3607TRPBF
Истеҳсолкунанда:
Infineon Technologies
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - IGBTs - Модулҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Транзисторҳо - JFETs, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягона, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо and Диодҳо - Rectifiers - ягона ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3607TRPBF electronic components. IRFR3607TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3607TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3607TRPBF Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IRFR3607TRPBF
Истеҳсолкунанда : Infineon Technologies
Тавсифи : MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Серияхо : HEXFET®
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 75V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 84nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 3070pF @ 50V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 140W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : D-Pak
Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед