Vishay Siliconix - SIS426DN-T1-GE3

KEY Part #: K6403974

[2172дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    SIS426DN-T1-GE3
    Истеҳсолкунанда:
    Vishay Siliconix
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор and Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in Vishay Siliconix SIS426DN-T1-GE3 electronic components. SIS426DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIS426DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIS426DN-T1-GE3 Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : SIS426DN-T1-GE3
    Истеҳсолкунанда : Vishay Siliconix
    Тавсифи : MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
    Серияхо : TrenchFET®
    Статуси Қисми : Obsolete
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 20V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 42nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 1570pF @ 10V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PowerPAK® 1212-8
    Бастаи / Парвандаи : PowerPAK® 1212-8

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.