Рақами Қисм :
2SJ668(TE16L1,NQ)
Истеҳсолкунанда :
Toshiba Semiconductor and Storage
Тавсифи :
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
60V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
15nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
Тақсимоти барқ (Макс) :
20W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PW-MOLD
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63