MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Нархгузорӣ (доллари ИМА) [2046дона саҳҳомӣ]
- 1 pcs$23.52823
- 1,000 pcs$15.56688
- Рақами Қисм:
- MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
- Истеҳсолкунанда:
- Micron Technology Inc.
- Тавсифи муфассал:
- IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ.
- Manufacturer's standard lead time:
- Дар фурӯш
- Муҳлати нигоҳдорӣ:
- Як сол
- Chip Аз:
- Гонконг
- RoHS:
- Намуди пардохт:
-
- Тарзи интиқол:
- Категорияҳои оила:
- KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: PMIC - Танзими шиддат - Идоракунандаҳои ивазкунии , Хаттӣ - Амалкунандаҳо - Аудио, Мантиқ - тарҷумонҳо, Shifters сатҳи, PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон, Хатӣ - Аммлифторҳо - Асбобҳо, ОП Амп, Ампер Бафф, Ҷойгиршуда - CPLDs (Дастгоҳҳои мураккаби барномаре, Интерфейс - Синтези мустақими рақамӣ (DDS) and Соат / Вақтсанҷ - Вақтсанҷи барномарезишуда ва осц ...
- Афзалияти рақобатӣ:
- We specialize in Micron Technology Inc. MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR electronic components. MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR Аттрибутҳои маҳсулот
Рақами Қисм :
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Истеҳсолкунанда :
Micron Technology Inc.
Тавсифи :
IC FLASH 512G PARALLEL 200MHZ
Серияхо :
-
Статуси Қисми :
Active
Намуди хотира :
Non-Volatile
Формати хотира :
FLASH
Технология :
FLASH - NAND
Андозаи хотира :
512Gb (64G x 8)
Фосилаи соат :
200MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа :
-
Вақти дастрасӣ :
-
Интерфейси хотира :
Parallel
Шиддат - Таъмин :
2.7V ~ 3.6V
Ҳарорати амалиётӣ :
0°C ~ 70°C (TA)
Навъи монтаж :
-
Бастаи / Парвандаи :
-
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
-
Охирин хабарҳо
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
-
70V38L20PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 1.125M PARALLEL 100TQFP. SRAM 64Kx18 LOW-PWR, 3.3V DUAL-PORT RAM
-
-
IS49NLC96400A-33WBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ. DRAM 576Mbit x9 Common I/O 300MHz RLDRAM2
-
IS49NLS96400A-33WBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ. DRAM 576Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
-
-
Қисмҳои гарм
- CY7C09289V-9AXIT
- AT27BV040-12JU
- MT46V32M16TG-75E:C TR
- MT46V32M16TG-6T:F TR
- AT93C46-10PU-1.8
- MT46V8M16TG-6T:D TR
- AT49BV001NT-12JC
- AT28C64X-25JI
- NM27C010N150
- 93LC56CT-I/SN15KVAO
- W25Q128BVEJP
- AS4C128M32MD2-18BIN
- MT29E384G08EBHBBJ4-3:B
- MT53D4DANY-DC TR
- EDY4016AABG-DR-F-R TR
- S34MS01G200TFA000
- IS66WV51216DBLL-70BLI-TR
- MT35XL256ABA1GSF-0AAT TR
- MT46H128M32L2MC-5 WT:B
- MTFC16GJVEC-IT TR
- DS1245YL-70
- MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E
- M29W128GL70N6F TR
- S29GL256N11FFVR22
- CY7C1472BV33-200BZCT
- IDT71T75902S75PF8
- IDT71T75902S75BGGI
- 71342SA45J
- 71342LA25PF8
- 70V9079S7PF
- 70V07S35PF8
- 70T3599S133DR
- 7006S25J8
- IS42S32800D-7TL-TR
- M58WR064ET70ZB6T
- CY7C0832V-133AXI
- AT24C16BN-SH-T
- S29GL256P10FFIS12
- CY62148DV30LL-55SXIT
- S25FS064SAGMFI011