GeneSiC Semiconductor - MURT10060R

KEY Part #: K6468512

Тавсифи муфассал:: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V100A600P/424R

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Тиристорҳо - TRIACs, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Диодҳо - Rectifiers Bridge, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға and Транзисторҳо - IGBTs - ягона ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURT10060R electronic components. MURT10060R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURT10060R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MURT10060R

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : -

Навъи диод : Standard, Reverse Polarity

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 600V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 100A (DC)

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 1.7V @ 100A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : 75ns

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 25µA @ 50V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -40°C ~ 175°C

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Three Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Three Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.