Рақами Қисм :
DMG4812SSS-13
Истеҳсолкунанда :
Diodes Incorporated
Тавсифи :
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1849pF @ 15V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Body)
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.54W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-SO
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)