IXYS - IXFB110N60P3

KEY Part #: K6396540

IXFB110N60P3 Нархгузорӣ (доллари ИМА) [5131дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$9.70613
  • 10 pcs$8.82309
  • 100 pcs$7.13379

Рақами Қисм:
IXFB110N60P3
Истеҳсолкунанда:
IXYS
Тавсифи муфассал:
MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - TRIACs, Тиристорҳо - SCRs - Модулҳо, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - RF, Транзисторҳо - Unijunction барномарезишуда, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - RF and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Ягонагӣ, қабеҳ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in IXYS IXFB110N60P3 electronic components. IXFB110N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB110N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB110N60P3 Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : IXFB110N60P3
Истеҳсолкунанда : IXYS
Тавсифи : MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Серияхо : HiPerFET™, Polar3™
Статуси Қисми : Active
Навъи FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 245nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 18000pF @ 25V
Хусусияти FET : -
Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 1890W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж : Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : PLUS264™
Бастаи / Парвандаи : TO-264-3, TO-264AA

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.