ON Semiconductor - NVD5806NT4G

KEY Part #: K6420198

[303312дона саҳҳомӣ]


    Рақами Қисм:
    NVD5806NT4G
    Истеҳсолкунанда:
    ON Semiconductor
    Тавсифи муфассал:
    MOSFET N-CH 40V DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Дар фурӯш
    Муҳлати нигоҳдорӣ:
    Як сол
    Chip Аз:
    Гонконг
    RoHS:
    Намуди пардохт:
    Тарзи интиқол:
    Категорияҳои оила:
    KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Тиристорҳо - SCRs, Транзисторҳо - Ҳадафи махсус, Транзисторҳо - IGBTs - ягона, Диодҳо - Зенер - Массивҳо, Транзисторҳо - IGBTs - массивҳо, Диодҳо - Rectifiers - Массаҳо, Диодҳо - RF and Транзисторҳо - Биполярӣ (BJT) - Масрҳо, қабл аз ға ...
    Афзалияти рақобатӣ:
    We specialize in ON Semiconductor NVD5806NT4G electronic components. NVD5806NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5806NT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NVD5806NT4G Аттрибутҳои маҳсулот

    Рақами Қисм : NVD5806NT4G
    Истеҳсолкунанда : ON Semiconductor
    Тавсифи : MOSFET N-CH 40V DPAK
    Серияхо : -
    Статуси Қисми : Active
    Навъи FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Холӣ кардани қувваи барқ ​​(Vdss) : 40V
    Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C : 33A (Tc)
    Радди барқ ​​(ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
    Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs : 38nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V
    Хусусияти FET : -
    Тақсимоти барқ ​​(Макс) : 40W (Tc)
    Ҳарорати амалиётӣ : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Навъи монтаж : Surface Mount
    Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : DPAK
    Бастаи / Парвандаи : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед