Рақами Қисм :
IPD60R380E6BTMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
Статуси Қисми :
Discontinued at Digi-Key
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
600V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
10.6A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 300µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
32nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 100V
Хусусияти FET :
Super Junction
Тақсимоти барқ (Макс) :
83W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 155°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-TO252-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63