Рақами Қисм :
BSO080P03SNTMA1
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
30V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
12.6A (Ta)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
136nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
5890pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.79W (Ta)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PG-DSO-8
Бастаи / Парвандаи :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)