Рақами Қисм :
IXTX110N20L2
Тавсифи :
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
200V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
110A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 3mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
500nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
23000pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
960W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
PLUS247™-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-247-3