Рақами Қисм :
EC3A03B-TL-H
Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
JFET N-CH 1MA 100MW ECSP1006-3
Шиддат - Тақсимшавӣ (V (BR) GSS) :
-
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
40V
Ҷорӣ - аз кор рафтан (Idss) @ Vds (Vgs = 0) :
50µA @ 20V
Холӣ ҷорӣ (Id) - Макс :
1mA
Шиддат - Баста (VGS хомӯш) @ Id :
1.5V @ 1µA
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1.7pF @ 10V
Муқовимат - RDS (Фаъол) :
-
Ҳарорати амалиётӣ :
150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи / Парвандаи :
3-XFDFN
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
3-ECSP1006