Рақами Қисм :
APT10M11JVRU2
Истеҳсолкунанда :
Microsemi Corporation
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
142A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 71A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 2.5mA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
300nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
8600pF @ 25V
Тақсимоти барқ (Макс) :
450W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Chassis Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
SOT-227
Бастаи / Парвандаи :
SOT-227-4, miniBLOC