GeneSiC Semiconductor - MBR12060CT

KEY Part #: K6468516

Тавсифи муфассал:: DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 60V 120A Schottky Recovery

Категорияҳои оила:: KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Диодҳо - Иқтидори тағйирёбанда (Варикапс, Варактор, Тиристорҳо - SCRs, Тиристорҳо - DIACs, SIDACs, Диодҳо - Rectifiers - ягона, Диодҳо - RF, Транзисторҳо - FETS, MOSFETҳо - ягона, Диодҳо - Rectifiers Bridge and Транзисторҳо - JFETs ...

Афзалияти рақобатӣ:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR12060CT electronic components. MBR12060CT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR12060CT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Рақами Қисм : MBR12060CT

Истеҳсолкунанда : GeneSiC Semiconductor

Тавсифи : DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER

Серияхо : -

Статуси Қисми : Active

Танзимоти диод : 1 Pair Common Anode

Навъи диод : Schottky

Қувват - баръакс DC (Vr) (Макс) : 60V

Ҷорӣ - Меъёрҳои ислоҳшуда (Io) (ба ҳар як диод) : 120A (DC)

Шиддат - Ирсол (Vf) (Макс) @ Агар : 750mV @ 60A

Суръат : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Вақти барқароркунӣ бо баръакс (трр) : -

Ҷорӣ - Рафъшавии баръакс @ Vr : 3mA @ 20V

Ҳарорати амалиётӣ - Ягонагӣ : -55°C ~ 150°C

Навъи монтаж : Chassis Mount

Бастаи / Парвандаи : Twin Tower

Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : Twin Tower

Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
MMBF4416A

ON Semiconductor

JFET N-CH 35V 15MA SOT23.
2SK209-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

JFET N-CH SOT23.
BF999E6327HTSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23.
MMBD1405A

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 175V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
BAS4005E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23.