Истеҳсолкунанда :
ON Semiconductor
Тавсифи :
MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
250V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
42nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
2365pF @ 100V
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.5W (Ta), 78W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
8-MLP (5x6), Power56
Бастаи / Парвандаи :
8-PowerWDFN