Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Агар макони шумо дар рӯйхат набошад, лутфан яке аз имконоти зеринро интихоб кунед:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Хона
  2. Маҳсулот
  3. Силсилаи интегралӣ (IC)
  4. Хотира
  5. AS4C32M16MSA-6BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16MSA-6BIN

KEY Part #: K937510

AS4C32M16MSA-6BIN Нархгузорӣ (доллари ИМА) [17157дона саҳҳомӣ]

  • 1 pcs$2.67064
Рақами Қисм:
AS4C32M16MSA-6BIN
Истеҳсолкунанда:
Alliance Memory, Inc.
Тавсифи муфассал:
IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA. DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
Manufacturer's standard lead time:
Дар фурӯш
Муҳлати нигоҳдорӣ:
Як сол
Chip Аз:
Гонконг
RoHS:
Намуди пардохт:
Тарзи интиқол:
Категорияҳои оила:
KEY Component Co., LTD як дистрибютор оид ба қисматҳои электронӣ мебошад, ки категорияҳои маҳсулотро пешниҳод мекунад, аз ҷумла: Интерфейс - сенсорӣ, ламси ламсӣ, Мантиқ - латышҳо, Ҷойгиршуда - Система оид ба Chip (SoC), Интерфейс - Сабти овоз ва навозиш, PMIC - Назоратчиёни таъминоти барқ, нозирон, Микросхемаҳои IC, PMIC - Танзими шиддат - Идоракунандагони хаттӣ and PMIC - Идоракунии гармӣ ...
Афзалияти рақобатӣ:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS4C32M16MSA-6BIN electronic components. AS4C32M16MSA-6BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS4C32M16MSA-6BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16MSA-6BIN Аттрибутҳои маҳсулот

Рақами Қисм : AS4C32M16MSA-6BIN
Истеҳсолкунанда : Alliance Memory, Inc.
Тавсифи : IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA
Серияхо : -
Статуси Қисми : Active
Намуди хотира : Volatile
Формати хотира : DRAM
Технология : SDRAM - Mobile SDRAM
Андозаи хотира : 512Mb (32M x 16)
Фосилаи соат : 166MHz
Вақти давраро нависед - Калом, Саҳифа : -
Вақти дастрасӣ : 5.5ns
Интерфейси хотира : Parallel
Шиддат - Таъмин : 1.7V ~ 1.95V
Ҳарорати амалиётӣ : -40°C ~ 85°C (TJ)
Навъи монтаж : Surface Mount
Бастаи / Парвандаи : 54-VFBGA
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда : 54-FBGA (8x8)

Охирин хабарҳо

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Шояд шумо низ таваҷҷӯҳ зоҳир карда метавонед
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

Қисмҳои гарм