Рақами Қисм :
IRF6898MTR1PBF
Истеҳсолкунанда :
Infineon Technologies
Тавсифи :
MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
25V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
35A (Ta), 213A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 100µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
62nC @ 4.5V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
5435pF @ 13V
Хусусияти FET :
Schottky Diode (Body)
Тақсимоти барқ (Макс) :
2.1W (Ta), 78W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Навъи монтаж :
Surface Mount
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
DIRECTFET™ MX
Бастаи / Парвандаи :
DirectFET™ Isometric MX