Истеҳсолкунанда :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Тавсифи :
MOSFET N-CH 100V 4.7A TO220
Технология :
MOSFET (Metal Oxide)
Холӣ кардани қувваи барқ (Vdss) :
100V
Ҷараёни - Давршавии муттасил (Id) @ 25 ° C :
4.7A (Ta), 42A (Tc)
Радди барқ (ҳадди аксар Rds, min Rds фаъол аст) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
37 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Ҳаққи дарвоза (Qg) (Макс) @ Vgs :
23nC @ 10V
Қобилияти воридшавӣ (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 50V
Тақсимоти барқ (Макс) :
1.92W (Ta), 150W (Tc)
Ҳарорати амалиётӣ :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Навъи монтаж :
Through Hole
Бастаи дастгоҳҳои таҳвилкунанда :
TO-220-3
Бастаи / Парвандаи :
TO-220-3